收藏本站
IXTH 24N50Q
IXTT 24N50Q
42
36
Fig. 7. Input Adm ittance
45
40
35
Fig. 8. Transconductance
30
24
18
30
25
20
T J = -40oC
25oC
125oC
12
6
0
T J = 120oC
25oC
-40oC
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
6
12
18
24
30
36
42
48
54
72
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 250V
60
8
I D = 12A
I G = 10mA
48
6
36
24
12
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
20
40
60
80
10000
1000
100
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1
0.1
0.01
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTH24N50 MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
IXTH260N055T2 MOSFET N-CH 55V 260A TO-247
IXTH280N055T MOSFET N-CH 55V 280A TO-247
IXTH28N50Q MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
IXTH2R4N120P MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
IXTH30N25 MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
IXTH30N50P MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
IXTH30N50 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
相关代理商/技术参数
IXTH24P20 功能描述:MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH260N055T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH26N45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR
IXTH26N50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR
IXTH26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH26P20P 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH27N35MA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5)